香港科技大学电机与电子工程专业博士学位，现任中国电科13所专用集成电路国家级重点实验室常务副主任、副总工程师、研究员、博士生导师。已公开发表学术论文100余篇。目前研究方向为先进半导体材料与器件。
由于石墨烯材料优越的电学特性，在高速高频电子领域已经显露出极大的潜能 [1,2]。准自由态外延石墨烯因其良好的晶体质量、高的载流子迁移率和无需转移等特点，是未来高频器件应用的候选材料。
本文我们报道了碳化硅衬底外延的单层石墨烯在氢气环境下退火可实现双层准自由态石墨烯，并可以大幅度提高其电学特性[3].。采用我们曾经报道的自对准石墨烯场效应晶体管工艺[4]，制备的双层准自由态石墨烯器件展示了优良的直流和射频特性。100nm栅长的外延石墨烯晶体管实现创纪录的407GHz本征电流截止频率。我们的工作表明，双层准自由态外延石墨烯在未来高速射频领域具有潜在的应用价值。
E-mail: meeting@c-gia.cn meeting01@c-gia.cn
参展电话：13646399362（苏老师）
主讲申请：19991951101（王老师）
官方微信订阅号
京公网安备 11010802023402号