演讲嘉宾-Jeong-Sun Moon

Jeong-Sun Moon
美国首都航空公司HRL实验室

Jeong-Sun Moon博士是马里布美国首都航空公司HRL实验室的高级研究科学家,同时他也是电气和电子工程师协会(IEEE)的研究员。他自2000年加入HRL实验室,负责过众多改进项目合同,如:DARPA,ONR,NRO以及NASA。他获得了由政府微电路应用和关键技术会议颁发的2014年亚伯拉罕杰出论文奖,2009年获得了美国宇航局航天奖。在加入HRL之前,他在Sandia国家实验室工作,在那里他主要研究的是III-V族半导体纳米器件。加入HRL之后,他的研究主要集中在新材料,新的高速器件及其在射频电路中的应用,他主要使用GaN,石墨烯,磷化铟,锑化镓,锗,相变材料,以及光学器件进行研究。他已撰写或参与撰写了100多篇论文,被邀请作过很多会议报告和政府报告,指导过一些国际会议。他曾担任设备研究会议的程序委员,他是微波理论与技术协会(MTT-S)的技术委员会成员(MTT-25)。

演讲题目:Graphene and Graphene Heterostructure for RF Applications
主题会场A02 石墨烯在高频电子领域的应用
开始时间
结束时间
内容摘要

Graphene is a truly 2D electronic material with unique properties, such as high mobility, excellent scalability, symmetry in electron or hole channel, its ability to be integrated into any substrate, and its potential compatibility with CMOS. With very high intrinsic saturation velocity (Vsat) of ~5x107 cm/sec, graphene has great potential for high performance RF applications, while there are numerous challenges to overcome. 
In this talk, we present recent progress [1-6] in graphene material, GFETs, graphene heterostructure FETs, circuit applications and integration of graphene with other materials. Continuous development of this emerging material would potentially enable RF systems on nonconventional surfaces.

关于主办方

联系我们
400-110-3655   

E-mail: meeting@c-gia.cn   meeting01@c-gia.cn

参展电话:13646399362(苏老师)

主讲申请:19991951101(王老师)

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Jeong-Sun Moon
美国首都航空公司HRL实验室

Jeong-Sun Moon博士是马里布美国首都航空公司HRL实验室的高级研究科学家,同时他也是电气和电子工程师协会(IEEE)的研究员。他自2000年加入HRL实验室,负责过众多改进项目合同,如:DARPA,ONR,NRO以及NASA。他获得了由政府微电路应用和关键技术会议颁发的2014年亚伯拉罕杰出论文奖,2009年获得了美国宇航局航天奖。在加入HRL之前,他在Sandia国家实验室工作,在那里他主要研究的是III-V族半导体纳米器件。加入HRL之后,他的研究主要集中在新材料,新的高速器件及其在射频电路中的应用,他主要使用GaN,石墨烯,磷化铟,锑化镓,锗,相变材料,以及光学器件进行研究。他已撰写或参与撰写了100多篇论文,被邀请作过很多会议报告和政府报告,指导过一些国际会议。他曾担任设备研究会议的程序委员,他是微波理论与技术协会(MTT-S)的技术委员会成员(MTT-25)。

演讲题目:Graphene and Graphene Heterostructure for RF Applications
主题会场A02 石墨烯在高频电子领域的应用
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Graphene is a truly 2D electronic material with unique properties, such as high mobility, excellent scalability, symmetry in electron or hole channel, its ability to be integrated into any substrate, and its potential compatibility with CMOS. With very high intrinsic saturation velocity (Vsat) of ~5x107 cm/sec, graphene has great potential for high performance RF applications, while there are numerous challenges to overcome. 
In this talk, we present recent progress [1-6] in graphene material, GFETs, graphene heterostructure FETs, circuit applications and integration of graphene with other materials. Continuous development of this emerging material would potentially enable RF systems on nonconventional surfaces.

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