金智 - 石墨烯大会

演讲嘉宾-金智

金智
中国科学院微电子研究所

中国科学院微电子研究所，微波器件与集成电路研究室主任研究员

　　于1999年毕业于吉林大学电子工程系。1999年-2002年在日本北海道大学集成量子电子学研究中心作博士后研究工作，主要从事III-V族和GaN基器件的工艺研究；2002年-2006年在德国Duisburg-Essen大学固态电子学系以及日本东京电气通信大学进行GaAs和InP基异质结双极晶体管的研究。2006年在中国科学院微电子研究所任研究员。研究包括III-V族半导体HBT和HEMT，微波电路以及石墨烯基器件和电路。发表论文100余篇。

演讲题目：具有超低1/f噪声的石墨烯顶栅型场效应晶体管

主题会场石墨烯在高频电子领域的应用

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内容摘要

　　低频1/f噪声是限制纳米电子器件性能的主要因素。由于石墨烯材料的二维特性，易受外界环境的影响，难以获得低的噪声特性。我们制备了石墨烯顶栅型场效应晶体管，器件在频率为10 Hz的1/f噪声达到1.8×10-12 µm2Hz-1，比现有报道结果低3个数量级。噪声在狄拉克点附近最小，随电压偏离狄拉克点噪声快速增加，在较大电流时噪声有轻微的减小。这个现象与导电沟道中隧穿引起的载流子与陷阱电荷的相互作用引起的载流子数目波动，从而导致的低频噪声相关。进一步的分析表明，器件中有效陷阱密度并非常数，而与沟道中的费米能级位置相关。结果有助于石墨烯场效应晶体管在模拟、混合信号以及射频电路中的应用。