刘云圻 - 石墨烯大会

演讲嘉宾-刘云圻

刘云圻
中国科学院院士

　　1975年南京大学化学系毕业后分配到中科院化学所工作至今。其中，1991年于日本东京工业大学获博士学位。

　　主要从事分子材料的设计、合成，包括-共轭小分子、高分子和石墨烯；以及这些材料在光电子器件中的应用，包括场效应晶体管和分子器件。发表SCI论文500余篇，他人引用2万余次，h因子75，获授权中国发明专利67项，出版专著两部及17章节。获国家自然科学二等奖1项。2014年、2015年入选汤森路透全球“高被引科学家”目录。

演讲题目：电子器件用高质量石墨烯/氮化硼

主题会场石墨烯前沿制备技术

开始时间

结束时间

内容摘要

　　石墨烯和相关原子层厚度的二维材料的制备已开发了许多方法。这些方法在质量和数量方面各具优缺点。其中化学气相沉积法（CVD）将产物的质量和数量结合在一起，因此被认为是最具前景。这些材料如果用于电子器件，可控制备的最终目标是获得大尺寸、单晶和单层薄膜（或层数可控）。经典的CVD法包括两个基本的过程: 成核和生长，其中随机分布的成核点继续长大，最后形成薄膜。与含有大量晶界的薄膜相比，单晶晶畴在电子器件中应用则更重要，因为它没有缺陷而使器件显示更优越的性能。

　　本报告将介绍高质量石墨烯/氮化硼CVD法的可控制备，也包括它们在电子器件中的应用和性能研究。