演讲嘉宾-金智

金智
中国科学院微电子研究所，微波器件与集成电路研究室 主任 研究员
　　于1999年毕业于吉林大学电子工程系。1999年-2002年在日本北海道大学集成量子电子学研究中心作博士后研究工作，主要从事III-V族和GaN基器件的工艺研究；2002年-2006年在德国Duisburg-Essen大学固态电子学系以及日本东京电气通信大学进行GaAs和InP基异质结双极晶体管的研究。2006年在中国科学院微电子研究所任研究员。研究包括III-V族半导体HBT和HEMT，微波电路以及石墨烯基器件和电路。发表论文100余篇。
演讲题目：高性能射频石墨烯场效应晶体管
主题会场石墨烯战略前沿
开始时间
结束时间
内容摘要

　　由于具有超高的载流子迁移率和饱和漂移速度，石墨烯被认为是制备高频器件的理想材料。但是石墨烯高频器件的制备仍然面临各种问题。首先，石墨烯表面缺乏悬挂键，难以沉积高质量低界面态的栅介质。其次，由于独特的线性能带结构和较低的电子态密度，金属石墨烯难以形成理想的欧姆接触。我们利用金属铝做种子层，外加高低温ALD沉积的方式实现了高质量、低界面态Al2O3栅介质在石墨烯表面的沉积。此外，我们还研究了接触区域石墨烯输运机制，通过不同区域费米能级调控降低金属石墨烯接触电阻。通过工艺的整合，我们制备出了高性能的石墨烯场效应晶体管，器件的截止频率达到500GHz。

关于主办方

联系我们
400-110-3655   

E-mail: meeting@c-gia.cn   meeting01@c-gia.cn

参展电话：13646399362（苏老师）

主讲申请：19991951101（王老师）

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演讲嘉宾-金智

金智
中国科学院微电子研究所，微波器件与集成电路研究室 主任 研究员
　　于1999年毕业于吉林大学电子工程系。1999年-2002年在日本北海道大学集成量子电子学研究中心作博士后研究工作，主要从事III-V族和GaN基器件的工艺研究；2002年-2006年在德国Duisburg-Essen大学固态电子学系以及日本东京电气通信大学进行GaAs和InP基异质结双极晶体管的研究。2006年在中国科学院微电子研究所任研究员。研究包括III-V族半导体HBT和HEMT，微波电路以及石墨烯基器件和电路。发表论文100余篇。
演讲题目：高性能射频石墨烯场效应晶体管
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内容摘要

　　由于具有超高的载流子迁移率和饱和漂移速度，石墨烯被认为是制备高频器件的理想材料。但是石墨烯高频器件的制备仍然面临各种问题。首先，石墨烯表面缺乏悬挂键，难以沉积高质量低界面态的栅介质。其次，由于独特的线性能带结构和较低的电子态密度，金属石墨烯难以形成理想的欧姆接触。我们利用金属铝做种子层，外加高低温ALD沉积的方式实现了高质量、低界面态Al2O3栅介质在石墨烯表面的沉积。此外，我们还研究了接触区域石墨烯输运机制，通过不同区域费米能级调控降低金属石墨烯接触电阻。通过工艺的整合，我们制备出了高性能的石墨烯场效应晶体管，器件的截止频率达到500GHz。

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