朱宏伟

强层间耦合二维材料PtSe2的定向生长与拼接外延

　　大面积单晶二维材料的可控制备是推动其应用的关键。然而，PtSe2较强的层间相互作用使其倾向于垂直堆叠，限制了横向外延生长及晶畴拼接。本研究提出一种结合单晶基底工程与碱辅助化学气相沉积的生长策略。通过局域预应变与应变释放退火，将多晶金箔转化为厘米级高指数单晶金基底，实现毫米级PtSe2纳米带的高密度、单一取向生长。进一步利用NaOH辅助调控，促进横向外延并抑制垂直生长，使相邻纳米带无缝拼接，获得厚度可薄至单层的厘米级连续PtSe2薄膜。所得薄膜表现出由半导体、双极性半导体到半金属的厚度依赖电学特性。该研究为强层间耦合二维材料的大面积可控制备提供了新途径。