石墨烯芯片互连材料以体积微小、超低电阻率与高热稳定性，助力5G通信与AI芯片突破算力瓶颈。石墨烯电容位移传感器在半导体设备、精密机床等工业场景中替代进口产品，打破国外技术垄断。
1.石墨烯能够与标准光刻工艺兼容。既可以形成原子尺度的自支撑薄膜或梁结构。
石墨烯作为互连材料导电体截面积比铜缩小10-3倍，从而使得互连线和通孔的相关尺寸在约5和10nm之间的范围内。通过调整两层石墨烯膜的角度，使电场发生改变，扭曲了双层石墨烯成为超导体。
英国学术刊物《自然》杂志连刊两文报道了中科大少年班的曹原关于石墨烯超导的重大发现：当两层平行石墨烯堆成约1.08°的微妙角度，就会产生超导效应。这一成果堪称世界“第五大发明”。
2.石墨烯的电子迁移率（高达2×10⁵ cm²/V·s）远超铜（约0.003 cm²/V·s），可大幅降低电阻和信号延迟，适用于高频、高密度集成电路。
热管理突破：石墨烯导热系数（5000 W/M·K）是铜的10倍以上，可解决3nm以下制程芯片的散热难题，提升器件寿命和可靠性。
梁结构：既可以形成原子尺度的自支撑薄膜或梁结构。
石墨烯的纳米级厚度可减少边缘效应，提升表面粗糙度检测、薄膜厚度测量精度。
基于石墨烯的压阻式传感器已能探测单个原子级别的表面起伏，为量子计算研究提供关键数据。
石墨烯的多参数响应特性支持位移与其他物理量的同步监测， 实时生成物体表面的3D压力分布图，实现机器人无滑移抓取。
