杨洪新教授现任浙江大学物理学院求是特聘教授，浙江大学量子物态与器件研究中心研究骨干，长期从事自旋电子学基础与应用研究，聚焦拓扑磁结构与磁随机存储器（MRAM），在反对称交换耦合（DMI）、垂直磁各向异性以及磁读写的理论计算方法发展、物理机制探索、材料体系开发与自旋电子学器件设计方面形成系统成果。他建立了实空间自旋螺旋态短自旋波超原胞计算DMI方法与VASP中倒空间广义布洛赫定理计算DMI方法，为国际同行广泛使用；预言多种铁磁金属／重金属与轻元素界面的DMI并获得实验验证，预言空间反演对称破缺的二维Janus磁体具有本征DMI与磁斯格明子；提出反对称交换耦合力矩翻转垂直磁化这一全新磁写入方式，以及双半子扭矩翻转面内磁化的全电压控制磁写入新方案，为超低功耗DMI力矩磁随机存储器提供理论基础。2026年，他与合作者在Nature发表“Semiconducting and magnetic lanthanide MXenes from intercalated halides”，实现原子制造镧系MXene磁性半导体，展示了插层策略创制新型量子材料的能力。他在Nature Reviews Physics、Nature Materials、Nature Nanotechnology、Physical Review Letters（11篇）、Nature Communications等发表SCI论文140余篇，被引用8700余次，H指数40，入选2023、2024年爱思唯尔物理学领域高被引学者。拟在大会AI+未来材料论坛分享二维磁性与插层材料的第一性原理计算与器件设计。
重要荣誉：浙江大学求是特聘教授；国家海外高层次人才青年项目（2017）；爱思唯尔物理学领域高被引学者（2023、2024）；IEEE Senior Member；APS March Meeting“Spin Textures and Chiral Magnetism in 2D Materials”分会主席
